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本文在大量实验测量的基础上，对影响NTD硅掺杂精度的因素作了较为详细的研究，给出了一些定量和定性的结果。
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掺入的Si~（4+）阳离子有很强的占据类尖晶石结构中四面体位的趋势，对氧参数及四面体位和八面体位的平均间隙大小也有一定影响。
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通过研究硼掺杂浓度与氢化硅薄膜电学特性关系表明硼掺杂降低了薄膜的电阻率和方阻值，同时也降低了薄膜的温度电阻系数。
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在此基础上，采用电路模拟方法仿真分析了影响LAPS特性的因素：硅掺杂浓度、绝缘层厚度以及光强等，仿真结果正确地反映了LAPS的实际特性。
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6、
结合VB-GaAs晶体生长工艺，对工艺中掺Si浓度的控制进行了探讨，提出了掺杂计算的修正因子。
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8、
Influence of Silicon Doping on the Structure and the Magnetic Property of γ-Fe_2O_3 Particle
掺硅对γ-Fe2O3微粒的结构和磁性能的影响
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- high voltage silicon stack高压硅堆
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